
С использованием полупроводникового лазера с длиной волны 650 нм прибор вводит видимый красный свет в оптическое волокно и позволяет быстро и точно локализовать повреждение волокна по месту утечки света. Подходит для обнаружения утечки красного света в голом волокне, патч-кордах и других сценариях. Позволяет компенсировать слепую зону OTDR в ближней зоне, а также используется для идентификации жил в многожильном и ленточном оптоволокне.
С использованием полупроводникового лазера с длиной волны 650 нм прибор вводит видимый красный свет в оптическое волокно и позволяет быстро и точно локализовать повреждение волокна по месту утечки света. Подходит для обнаружения утечки красного света в голом волокне, патч-кордах и других сценариях. Позволяет компенсировать слепую зону OTDR в ближней зоне, а также используется для идентификации жил в многожильном и ленточном оптоволокне.
| Тип источника оптического излучения | FP-LD |
| Длина волны (нм) | 650 ±10 |
| Выходная мощность (дБм) | 1 мВт или 10 мВт, опционально |
| Режим модуляции | CW / 2 |
| Тип оптоволокна | SM, MM |